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記憶力衰退?科學家通過腦植入物來提高記憶力

1月
31
2018

2018年1月31日05時 今日科學 IT之家要聞

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從埃隆·馬斯克到麻省理工學院,再到美國國防部對大腦植入物的研究,所有人都認為,這些設備已經準備好幫助人類擴展自身的自然能力,這似乎只是時間問題。

現在,南加州大學的一位教授演示了如何使用大腦植入物來改善人類的記憶力,該設備可能會對治療美國最致命疾病之一產生重大影響。

董松(Dong Song,音譯)是南加州大學生物醫學工程的副教授,最近他在華盛頓的神經科學學會會議上展示了他的研究成果。據報導,該設備是第一個有效改善人類記憶的裝置。

為了測試他的設備,董松的團隊獲得了20名志願者的幫助,這些志願者的大腦被植入用於治療癲癇的電極。董松的設備可以收集他們大腦活動的數據,這些測試旨在刺激短期記憶或工作記憶。研究人員隨後確定了與最佳記憶性能相關的模式,並利用該設備的電極在隨後的測試中刺激大腦。

根據他們的研究,這樣的刺激能使短期記憶提高約15%,工作記憶提高約25%。當研究人員隨機地刺激大腦時,他們的表現就會惡化。董松表示:「我們正在編寫用於增強記憶功能的神經代碼。這是以前從未有過的。」

更好的記憶對於那些死記硬背的學生或者經常記不起名字的人來說是很有用的,與此同時,對於那些患有老年痴呆症的人來說,這可能是一種絕對的改變。


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